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广州南砂晶圆半导体技术有限公司是在广州市南沙自贸区注册成立的聚焦碳化硅单晶材料的高新技术企业，注册资本25,000万元。公司以山东大学近年来研发的最新技术成果为基础，同山东大学开展全方位产学研合作。项目规划总投资8亿元，实现年产各类碳化硅衬底晶片20万片。 公司SiC材料制备技术起源于山东大学晶体材料国家重点实验室。在蒋民华院士、长江学者徐现刚特聘教授的指导下，团队历经多年研发，成功突破了碳化硅单晶及衬底制备技术，为碳化硅衬底的国产商业化奠定了良好基础。 公司产品主要以4英寸、6英寸半绝缘和n型SiC衬底为主，可视市场需求不断丰富产品线。第三代半导体市场应用加速，打开发展新空间，随着碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等新材料陆续应用在二极管、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等器件上，新技术革命的序幕已经拉开。以SiC和GaN为主的第三代半导体器件在电动汽车、电源、手机快充、无线通信等领域正在快速渗透，并对原本由硅和砷化镓等材料器件主导的竞争格局产生重要影响，为未来众多产业发展打开了全新的应用可能性。 公司发展前景广阔，对粤港澳大湾区半导体产业平台建设具有重要意义，可显著提升粤港澳大湾区半导体产业竞争力。
广州市南沙区珠江街南江二路7号2栋 2层 {{item.wage_text}} {{item.district_text}} {{item.education_text}} {{item.experience_text}}
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民营 
电子/半导体/集成电路 
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